TG-DTA,GC-TOFMSを新規導入

『高分子の物性試験』サービスの対応が可能になりました

TG-DTA(熱重量示差熱分析)

有機物、無機物における熱物性を捉えることができるため、品質評価や研究開発など広い範囲の試料について分析することが可能です。

◆部材評価
高分子(プラスチック)添加剤の構造解析

◆固体燃料電池
電解質膜の解析

◆食品
油脂や加工食品の酸化性評価・口どけ・なめらかさの測定

GC-TOFMS

GC-MSよりも測定質量範囲が広く、m/s 4000(原理上は上限なし)で測定が可能であるため、高分子分析にも適しています。
さらにTGと接続し、TG-TOFMSとして測定も可能なため、重量変化時に発生するアウトガスの高感度な定性分析も可能です。

◆部材からのアウトガス成分分析

◆REACH規則物質
PFOA・PFOSのスクリーニング分析

株式会社近畿分析センター
滋賀県大津市晴嵐二丁目9番1号
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カテゴリー: 材料分析 | 2020 年 4 月 3 日 金曜日

SEM,TEM観察 遠隔立会いサービス導入

◆ ご来社頂くことなくインターネット経由で立会い解析
  (TEM観察、FE-SEM観察、EDX分析)が可能となりました。

◆ 観察・分析の視野をリアルタイムでご指示、ご確認いただけます。

◆ ご指定時間内、観察視野数に制限なく画像取得可能です。

◆ 同様のシステムによる分析前のweb会議も随時対応します。

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カテゴリー: 材料分析 | 2020 年 4 月 3 日 金曜日

~断面観察のご紹介~

CP、FE-SEM、FIB-TEMによる半導体・電子材料の断面観察(高機能フィルム、ガラス、ナノ粒子・パウダーなど)

イオンミリング(CP)とFE-SEM、FIB-TEMを組合わせた方法により、さまざまな電子材料の詳細断面観察・分析が可能です。

◆ ミリメートル~ナノメートルに対応した試料加工・観察・分析が可能です。

◆ 加工精度向上により、CPによる10μmの微小パターンを狙った断面観察も可能です。

◆ 新型FE-SEM(日立ハイテクノロージーズ製   Regulus8220)では、リターディング機能を用いることにより、試料の極表面観察と超高解像度を実現します。

〔用途〕
◆ 金属間合金層の観察・分析
◆ 研磨による試料作成が困難な亀裂やボイドの評価/観察
◆ 薄膜積層界面の観察/分析
◆ 応力に弱い試料(高機能フィルム等)の断面観察

+ +  

〔主な事例〕

FIB-TEM-EDXの観察分析事例

フィルム試料の断面観察事例

FESEMによる半導体PN極性(ドーパント)可視化事例

 

 

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カテゴリー: 材料分析 | 2020 年 3 月 31 日 火曜日

超微量分析のご紹介 「JIS K0557-1998 用水・排水の試験に用いる水 A4の水の分析」

JIS K0557-1998 用水・排水の試験に用いる水 A4の水の分析が可能です。

その他、日本薬局方、各種海外規格に基づく分析もお気軽にご相談ください。


超純水分析(金属1ppt,陰イオン10ppt,シリカ50ppt)も承ります。

 

<分析事例>

 

項目

 

単位

種別及び質

定量下限値

(例)

1

2

3

4

電気伝導率

mS/m (25)

0.5以下

0.1以下

0.1以下

0.1以下

有機体炭素(TOC)

mgC/L

1以下

0.5以下

0.2以下

0.05以下

0.005

亜鉛

μgZn/L

0.5以下

0.5以下

0.1以下

0.1以下

0.01

シリカ

μgSiO2/L

50以下

5.0以下

2.5以下

1

塩化物イオン

μgCl-/L

10以下

2以下

1以下

1以下

0.1

硫酸イオン

μgSO42-/L

10以下

2以下

1以下

1以下

0.1

詳しくは以下にお問い合わせください

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カテゴリー: 材料分析 | 2020 年 3 月 30 日 月曜日

半導体の故障解析・構造解析 FESEMによる半導体PN極性(ドーパント)可視化技術のご紹介

FESEMによる半導体PN極性(ドーパント)可視化技術を確立しました!

観察装置:日立ハイテクノロジーズ製Regulus8220

以下に観察事例を掲載します。このように断面作製方法CP/FIB共に様々なデバイスにおいても可視化が可能です。ここにはないデバイスでもお気軽にご相談下さい。
(キャリア濃度により充分なコントラストが得られない可能性はありますので、詳細はお問い合わせ下さい。)

デバイス/断面作製 断 面 観 察 結 果
パワーデバイスの
アクティブ領域
(Si品、プレーナー型)

CP加工

 
メモリ素子(SRAM)
セル領域

FIB加工

 
表面照射型CMOS
イメージセンサー
画素領域

CP加工

 
多結晶Siによる
ツェナーダイオード

FIB加工
 
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カテゴリー: 材料分析 | 2020 年 3 月 27 日 金曜日