‘材料分析’ カテゴリーのアーカイブ


~断面観察のご紹介~

CP、FE-SEM、FIB-TEMによる半導体・電子材料の断面観察(高機能フィルム、ガラス、ナノ粒子・パウダーなど)

イオンミリング(CP)とFE-SEM、FIB-TEMを組合わせた方法により、さまざまな電子材料の詳細断面観察・分析が可能です。

◆ ミリメートル~ナノメートルに対応した試料加工・観察・分析が可能です。

◆ 加工精度向上により、CPによる10μmの微小パターンを狙った断面観察も可能です。

◆ 新型FE-SEM(日立ハイテクノロージーズ製   Regulus8220)では、リターディング機能を用いることにより、試料の極表面観察と超高解像度を実現します。

〔用途〕
◆ 金属間合金層の観察・分析
◆ 研磨による試料作成が困難な亀裂やボイドの評価/観察
◆ 薄膜積層界面の観察/分析
◆ 応力に弱い試料(高機能フィルム等)の断面観察

+ +  

〔主な事例〕

FIB-TEM-EDXの観察分析事例

フィルム試料の断面観察事例

FESEMによる半導体PN極性(ドーパント)可視化事例

 

 

株式会社近畿分析センター
滋賀県大津市晴嵐二丁目9番1号
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カテゴリー: 材料分析 | 2019 年 11 月 28 日 木曜日

超微量分析のご紹介 「SEMI F57規格による溶出試験」

半導体製造における超純水・高純度薬液供給に使用されるポリマー部材に適用されるSEMI F57規格(Provisional Specification for Polymer Components Used in Ultrapure Water and Liquid Chemical Distribution Systems)に準拠したイオン汚染、金属汚染、TOC汚染の溶出試験(超純水封入、85℃、7日間溶出)を実施いたします。
(試験に用いる検体や容器、キャップ等の部材の準備についてはSEMI F40規格に準拠いたします)

この他、半導体製造に使用される各種薬品(硫酸、塩酸、フッ化水素酸、硝酸、アンモニア、過酸化水素水など)による溶出試験や、JIS T0304金属系生体材料の溶出試験、お客様ごとにカスタマイズした実験も承ります。

溶出試験結果の一連(サンプル:PFA製パーツ) (単位:μg/㎡)

分  析  項  目 規  格 結  果
臭化物 Br  ≦100  <10
塩化物 Cl  ≦3000  15
フッ素 (F/Acetate)  ≦60000 1000
硝酸塩 NO3  ≦100 <10
亜硝酸塩 NO2  ≦100 <10
リン酸塩 PO43-  ≦300 <10
硫酸塩 SO42-  ≦300 <10
アルミニウム Al  ≦10 <0.1
バリウム Ba  ≦15 <0.1
ボロン B  ≦30 <0.1
カルシウム Ca  ≦20 0.5
クロム Cr  ≦1 <0.1
Cu  ≦15 <0.1
Fe  ≦5 <0.1
Pb  ≦1 <0.1
リチウム Li  ≦2 <0.1
マグネシウム Mg  ≦5 <0.1
マンガン Mn  ≦5 <0.1
ニッケル Ni  ≦1 <0.1
カリウム K  ≦15 0.2
ナトリウム Na  ≦15 0.8
ストロンチウム Sr  ≦0.5 <0.1
亜鉛 Zn  ≦10 0.5
全有機炭素 TOC  ≦60000 1000

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カテゴリー: 材料分析 | 2019 年 10 月 9 日 水曜日

超微量分析のご紹介 「JIS K0557-1998 用水・排水の試験に用いる水 A4の水の分析」

JIS K0557-1998 用水・排水の試験に用いる水 A4の水の分析が可能です。

その他、日本薬局方、各種海外規格に基づく分析もお気軽にご相談ください。


超純水分析(金属1ppt,陰イオン10ppt,シリカ50ppt)も承ります。

 

<分析事例>

 

項目

 

単位

種別及び質

定量下限値

(例)

1

2

3

4

電気伝導率

mS/m (25)

0.5以下

0.1以下

0.1以下

0.1以下

有機体炭素(TOC)

mgC/L

1以下

0.5以下

0.2以下

0.05以下

0.005

亜鉛

μgZn/L

0.5以下

0.5以下

0.1以下

0.1以下

0.01

シリカ

μgSiO2/L

50以下

5.0以下

2.5以下

1

塩化物イオン

μgCl-/L

10以下

2以下

1以下

1以下

0.1

硫酸イオン

μgSO42-/L

10以下

2以下

1以下

1以下

0.1

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カテゴリー: 材料分析 | 2019 年 10 月 9 日 水曜日

リチウムイオン2次電池材料の高分解能SEM観察のご案内

新型FE-SEMのリターディング機能を駆使することによって、近年電子デバイスでも多用される有機材料の微細構造観察の画像品質が格段に向上しました!

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カテゴリー: 材料分析 | 2019 年 8 月 30 日 金曜日

半導体の故障解析・構造解析 FESEMによる半導体PN極性(ドーパント)可視化技術のご紹介

FESEMによる半導体PN極性(ドーパント)可視化技術を確立しました!

観察装置:日立ハイテクノロジーズ製Regulus8220

以下に観察事例を掲載します。このように断面作製方法CP/FIB共に様々なデバイスにおいても可視化が可能です。ここにはないデバイスでもお気軽にご相談下さい。
(キャリア濃度により充分なコントラストが得られない可能性はありますので、詳細はお問い合わせ下さい。)

デバイス/断面作製 断 面 観 察 結 果
パワーデバイスの
アクティブ領域
(Si品、プレーナー型)

CP加工

 
メモリ素子(SRAM)
セル領域

FIB加工

 
表面照射型CMOS
イメージセンサー
画素領域

CP加工

 
多結晶Siによる
ツェナーダイオード

FIB加工
 

 

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カテゴリー: 材料分析 | 2019 年 7 月 26 日 金曜日