半導体の故障解析・構造解析 FESEMによる半導体PN極性(ドーパント)可視化技術のご紹介

カテゴリー: 材料分析

FESEMによる半導体PN極性(ドーパント)可視化技術を確立しました!
観察装置:日立ハイテクノロジーズ製Regulus8220

 以下に観察事例を掲載します。このように断面作製方法CP/FIB共に様々なデバイスにおいても可視化が可能です。ここにはないデバイスでもお気軽にご相談下さい。
(キャリア濃度により充分なコントラストが得られない可能性はありますので、詳細はお問い合わせ下さい。)

デバイス/断面作製 断 面 観 察 結 果
パワーデバイスの
アクティブ領域
(Si品、プレーナー型)

CP加工

 
メモリ素子(SRAM)
セル領域

FIB加工

 
表面照射型CMOS
イメージセンサー
画素領域

CP加工

 
多結晶Siによる
ツェナーダイオード

FIB加工
 

 

 

 

 

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カテゴリー: 材料分析 | 2018 年 7 月 10 日 火曜日